A molekulasugaras epitaxia (MBE) az egykristályok vékonyfilmes lerakódásának epitaxiásmódszere.

Az MBE-t diódák és MOSFET-ek gyártására használják mikrohullámú frekvencián, valamint optikai lemezek olvasására használt lézerek gyártására. 4 db Knudsen-cella található a műszerben, ami a mikro- és nanotechnológiában alkalmazott részecskeforrás, mellyel bizonyos preparálási eljárásokhoz szükséges részecskenyaláb hozható lére. Segítségével kis parciális gőznyomású anyagok (pl. Ga, Al, In, As) gőze állítható elő és alkalmazható.